gametest писал(а): ;D
Вот какраз он и не описан, в смысле описи математической модели, т.к. происходит следующее - заряд к примеру N-ной величины во время движения попадает в ПОТЕНЦИАЛЬНУЮ ЯМУс барьером во много раз выше величины заряд, теоретически по всем известным физическим законам движение его должно прекратиться т.к. у заряда не достаточно энергии для преодоления этого барьера, но ОН находит себе ТУНЕЛЬ и проходит сквозь стенку потенциальной ямы.
Имеем эффект отрицательного сопротивления, на этом эфеекте и работают тунельные диоды.
Вот так.
Ну что сказать в квантовой физике все не совсем так как в классической... Эффект туннелирования электрона через энергетический барьер уже решен в нескольких частных случаях за счет решения уравнения Шредингера с рядом приближений. Так что для монокристаллов можно сказать, что все решено (имеются ввиду эффекты внутри полупроводника). А вот на границе раздела появляются так называемые уровни Тамма, которые и не позволяют применять теорию «объемного» полупроводника.
P.S. не буду грузить больше – будут вопросы пиши в личку или на мыло – постараюсь помочь, если это так важно ;)
P.P.S. есть такой полезный ресурс в сети по нано материалам:
http://www.nanobot.ru/раздел для первичного ознакомления:
http://www.nanonewsnet.ru/index.php?mod ... d=3&pid=31ну и новостная лента:
http://www.nanonewsnet.ru
Последний раз редактировалось Anonymous 31 окт 2005, 11:50, всего редактировалось 1 раз.